芯片表面明暗場對(duì)比
BF
DF
芯片表面明暗場對(duì)比
在現(xiàn)代顯微鏡觀察檢驗(yàn)方法中 , 尤其在工業(yè)顯微鏡應(yīng)用領(lǐng)域,除了常規(guī)的明視場BF(Bright field)和暗視場DF(Dark field)觀察方法, 微分干涉相襯觀察法 (DIC:Differential interference contrast) 作為一種新興的觀察檢驗(yàn)方法。作為檢驗(yàn)觀察的一種強(qiáng)有力的工具,越來越多的被使用。尤其隨著微電子,平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,微分干涉觀察法甚至成為某些制程,比如位錯(cuò)檢查,導(dǎo)電粒子壓合,硬盤制造檢測的關(guān)鍵手段。
用DIC模式觀察的1000x放大下的芯片表面(不同的傾斜角度)
諾馬斯基棱鏡可做水平移動(dòng)調(diào)節(jié),類似相位移動(dòng)的補(bǔ)償器的作用,使視場中物體和背景之間的亮度和干涉顏色發(fā)生變化,從而達(dá)到理想的觀察效果。
0
2000
3000
4000
6000
8000
9000
10000
熒光觀察是表征芯片表面宏觀缺陷的一種常用手段,通常用來觀察大顆粒污染或者光刻膠涂布等缺陷,同時(shí)也可以用來觀察OLED等發(fā)光器件。
BF
FLUO
雙通道合成(BF+POL)
熒光用來觀察芯片表面
BF
FLUO
BF+FLUO
使用宏觀物鏡能夠?qū)崿F(xiàn)迅速觀察大范圍樣本,下圖是0.7x宏觀物鏡與150x高分辨物鏡的視野對(duì)比。
左0.7x
右150x
同一樣品低倍率物鏡的視野對(duì)比
0.7x 35.7mm視野范圍
1.25x 20mm視野范圍
2.5x 10mm視野范圍
5x 5mm視野范圍
超高分辨紫外光觀察
可見光下可分辨約0.3um的結(jié)構(gòu)
Resolvable Structures 0.3mm
(Visible light @ 400-750nm)
Resolvable Structures 0.12mm
(UV Light @ 365 nm)
紫外光下可分辨約0.12um的結(jié)構(gòu) (需特質(zhì)物鏡)
紫外斜照明
結(jié)合斜照明與紫外觀察,可以進(jìn)一步提升圖像的襯度,視覺上提升圖像的解析能力。
斜照明觀察,可以幫助對(duì)于缺陷的正確表征,觀察到常規(guī)明場下看不到的缺陷
BF
OBL
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